利用离子注入技术，对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究。
研究了有机半导体LPPP光微腔调谐发光二极管光致发光的性质。
由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同，导致量子点光致发光峰的半高宽增加。
本文介绍了PS的光致发光机理与特性研究的一些最新进展。
研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。
我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移，由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。
此外，氧化锌奈米阵列的光致发光特性与胶体颗粒的晶粒大小、结晶性及表面化学特性有关。
对样品进行了在空气中的热稳定性及室温下的光致发光的测试，并对结果进行了分析。
我们还使用常用的材料表征技术对这些纳米线进行了表征，并测量了几种纳米线结构的吸收光谱与光致发光光谱。
较详细地综述了光致发光材料的研究进展，并描述了光致发光材料的发光原理。
报道多孔硅的表面钝化对其光致发光和电致发光的影响。
相对强的激光聚焦有利于获得较好的光致发光光谱。
研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响，对其光致发光峰强进行了拟合计算。
本文对发光塑料的基材及添加剂进行了选择，重点研究了不饱和聚酯光致发光塑料的成型条件，成型工艺。
通过比较EL光谱，光致发光光谱及EL光谱分解，表明电致发光中同时包含单体发射、激基复合物和电荷对复合物的发射。
由于在光电导体、光致发光、非线性光学等方面广阔的应用前景，主族金属硫属化合物的研究受到人们的重视。
同时，随着退火温度升高，光致发光光谱的峰值能量位置移向低能。